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CSD17501Q5A
- 品牌: TI
- 分类: 场效应管
- 描述: N通道MOSFET
- 封装: VSONP-8
- MPQ: 2500
- 详细参数: 收起
- 库存数量: 2500 pcs
- 库存类型: 现货
- 交期: 5-7天 pcs
- 价格:
- 1＋ ￥19.4321
- 10＋ ￥16.9927
- 30＋ ￥15.4695
采购计划
数量
递增量 1 最小订货 1
数量
1单价
￥金额
人民币含税金额 ￥
详细参数
- 制造商 TI
- 产品类别 N通道MOSFET
- 系列 NexFET™
- 包装 卷带
- FET 类型 N 通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss） 30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On、最小 Rds On） 4.5V、10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.9 毫欧 @ 25A、10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 250µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 17 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值） ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2630 pF @ 15 V
- 功率耗散（最大值） 3.2W（Ta）
- 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 VSONP-8
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