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- 制造商料号: FDBL0150N80
- 品牌:
onsemi
- 描述:
MOSFET
- 封装:
HPSOF-8
- MPQ: 2000
- 规格书:
规格书
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
0 pcs
- 库存类型:
云仓
- 交期: 5-7天 pcs
- 价格:
- 1+
¥
37.7
- 10+
¥
33.09
- 30+
¥
30.34
- 100+
¥
27.56
- 500+
¥
25.91
- 1000+
¥
25.34
详细参数
- 制造商 onsemi
- 产品类别 MOSFET
- 包装 卷带、剪切带
- 封装 HPSOF-8
- 输入电容(Ciss@Vds) 12.8nF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds) -
- 商品目录 场效应管(MOSFET)
- 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
- 功率(Pd) 429W
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.4mΩ@80A,10V
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 188nC@10V
- 漏源电压(Vdss) 80V
- 连续漏极电流(Id) 300A
- 类型 N沟道
- Fet Type N-Ch
- Rated Power Dissipation 429|W
- 封装类型 MO-299A
- 安装方式 Surface Mount
- Qg Gate Charge 172nC
- Drain-to-Source Voltage [Vdss] 80V
- Drain-Source On Resistance-Max 1.4mΩ