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FDBL0150N80

  • 制造商料号: FDBL0150N80
  • 品牌:
    onsemi
  • 描述:
    MOSFET
  • 封装:
    HPSOF-8
  • MPQ: 2000
  • 规格书: 规格书
  • 详细参数: 收起
  • 库存数量: 0 pcs
  • 库存类型: 云仓
  • 交期: 5-7天 pcs
  • 价格:
    • 1+ 37.7
    • 10+ 33.09
    • 30+ 30.34
    • 100+ 27.56
    • 500+ 25.91
    • 1000+ 25.34

采购计划

数量

递增量 1 最小订货 1

详细参数

  • 制造商 onsemi
  • 产品类别 MOSFET
  • 包装 卷带、剪切带
  • 封装 HPSOF-8
  • 输入电容(Ciss@Vds) 12.8nF@25V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) -
  • 商品目录 场效应管(MOSFET)
  • 工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
  • 功率(Pd) 429W
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.4mΩ@80A,10V
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 188nC@10V
  • 漏源电压(Vdss) 80V
  • 连续漏极电流(Id) 300A
  • 类型 N沟道
  • Fet Type N-Ch
  • Rated Power Dissipation 429|W
  • 封装类型 MO-299A
  • 安装方式 Surface Mount
  • Qg Gate Charge 172nC
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss] 80V
  • Drain-Source On Resistance-Max 1.4mΩ