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- 制造商料号: 2N7002LT1G
- 品牌:
onsemi
- 描述:
场效应管
- 封装:
SOT23-3
- MPQ: 3000
- 规格书:
规格书
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
12108 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 5-7天 pcs
- 价格:
- 20+
¥
0.22504
- 200+
¥
0.17442
- 600+
¥
0.151989
- 3000+
¥
0.135116
- 9000+
¥
0.128407
详细参数
- 制造商 onsemi
- 产品类别 场效应管
- 包装 卷带、剪切带
- FET 类型 N 通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) 60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 5V、10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 500mA、10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
- Vgs(最大值) ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
- 功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 SOT23-3