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- 品牌:
Infineon(英飞凌)
- 分类:
场效应管
- 描述:
场效应管
- 封装:
TO252-3
- MPQ: 2500
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
2500 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 7-15天 pcs
- 价格:
- 1+
¥
8.2287
- 10+
¥
7.3907
- 30+
¥
6.5992
- 100+
¥
6.0173
- 500+
¥
4.8883
- 1000+
¥
4.7719
详细参数
- 制造商 Infineon
- 产品类别 场效应管
- 包装 卷带、剪切带
- FET 类型 N 通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) 600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.6A、10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 280µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
- Vgs(最大值) ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1081 pF @ 400 V
- 功率耗散(最大值) 72W(Tc)
- 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 TO252-3