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- 品牌:
Infineon(英飞凌)
- 分类:
场效应管
- 描述:
场效应管
- 封装:
TO252-3
- MPQ: 2500
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
16640 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 7-15天 pcs
- 价格:
- 2500+
¥
1.9237
- 5001+
¥
1.8283
详细参数
- 制造商 Infineon
- 产品类别 场效应管
- 包装 卷带、剪切带
- FET 类型 N 通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) 500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 13V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 400mA、13V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 30µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.3 nC @ 10 V
- Vgs(最大值) ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 84 pF @ 100 V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 TO252-3