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CSD18511Q5A

  • 制造商料号: CSD18511Q5A
  • 品牌:
    TI
  • 描述:
    场效应管
  • 封装:
    VSONP-8
  • MPQ: 2500
  • 规格书: 规格书
  • 详细参数: 收起
  • 库存数量: 2500 pcs
  • 库存类型: 现货
  • 交期: 5-7天 pcs
  • 价格:
    • 1+ 10.57
    • 10+ 8.6187
    • 100+ 6.7068
    • 500+ 5.6845
    • 1000+ 4.6306
    • 2500+ 4.3591
    • 5000+ 4.1515
    • 12500+ 3.96

采购计划

数量

递增量 1 最小订货 1

数量

1

单价

金额

人民币含税金额

详细参数

  • 制造商 TI
  • 产品类别 场效应管
  • 包装 卷带、剪切带
  • FET 类型 N 通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss) 40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 159A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 毫欧 @ 24A、4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.45V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值) ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5850 pF @ 10 V
  • 功率耗散(最大值) 104W(Tc)
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型 SMD/SMT
  • 封装 VSONP-8