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- 制造商料号: DMG1012T-7
- 品牌:
Diodes(美台)
- 描述:
场效应管
- 封装:
SOT-523
- MPQ: 3000
- 规格书:
规格书
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
52169 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 5-7天 pcs
- 价格:
- 1+
¥
0.2127
- 30+
¥
0.1686
- 100+
¥
0.1597
- 500+
¥
0.1377
详细参数
- 制造商 Diodes
- 产品类别 场效应管
- 包装 卷带、剪切带
- FET 类型 N 通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) 20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 630mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 1.8V、4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 600mA、4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值) ±6V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60.67 pF @ 16 V
- 功率耗散(最大值) 280mW(Ta)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 SOT-523