详细参数

• 制造商 Onsemi
• 产品类别 场效应管
• 包装 卷带、剪切带
• FET 类型 P 通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss） 30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On、最小 Rds On） 4V、10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 295 毫欧 @ 800mA、10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.6V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值） ±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 82 pF @ 10 V
• 功率耗散（最大值） 800mW（Ta）
• 工作温度 150°C（TJ）
• 安装类型 SMD/SMT
• 封装 SOT23-3