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  • 库存数量: 1291 pcs
  • 库存类型: 现货
  • 交期: 3-5天 pcs
  • 价格:
    • 1＋ ￥ 8.2109
    • 10＋ ￥ 7.0209
    • 50＋ ￥ 6.3664
    • 100＋ ￥ 5.6286
    • 500＋ ￥ 4.51
    • 1200＋ ￥ 4.3672

采购计划

数量

递增量 1 最小订货 1

数量

1

单价

￥

金额

￥

人民币含税金额 ￥

详细参数

  • 制造商 Infineon
  • 产品种类 晶体管 - FET MOSFET - 单个
  • 包装 管件
  • FET 类型 N 通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • Vdss 100V
  • 连续漏极电流Id 97A(Tc)
  • 驱动电压 10V
  • 导通电阻(Max) 9毫欧@58A 10V
  • 功率耗散 230W(Tc)
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型 通孔
  • 封装 TO220-3
  • 输入电容(Ciss@Vds) 4.82nF@50V
  • 商品目录 场效应管(MOSFET)
  • 功率(Pd) 230W
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@150uA
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9mΩ@10V,58A
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 120nC@10V
  • 漏源电压(Vdss) 100V
  • 连续漏极电流(Id) 97A
  • 类型 N沟道

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