芯智控股(02166.HK)旗下自营平台
- 登录
|
注册
- 在线咨询
- 微信咨询
- 400-816-1216
-
您可以通过快捷键 CTRL+D 收藏网站
收藏网址
- 制造商料号: N沟道 耐压:60V 电流:22A N 沟道,PowerTrench MOSFET,60V,22A,8.2mΩ
- 品牌:
onsemi
- 描述:
N沟道场效应管
- 封装:
PQFN-8
- MPQ: 3000
- 规格书:
规格书
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
0 pcs
- 库存类型:
云仓
- 交期: 3-5天 pcs
- 价格:
- 1+
¥
29.72
- 10+
¥
26.08
- 30+
¥
23.91
- 100+
¥
21.72
- 500+
¥
20.72
- 1000+
¥
20.26
详细参数
- 安装类型 表面贴装型
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 基本产品编号 FDMS86520
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
- 产品状态 在售
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.5A(Ta),22A(Tc)
- FET 类型 N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4615 pF @ 30 V
- Vgs(最大值) ±20V
- 封装/外壳 8-PowerTDFN
- 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
- 系列 PowerTrench®
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 8-PQFN(5x6)