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FDMS86520L

  • 制造商料号: N沟道 耐压:60V 电流:22A N 沟道,PowerTrench MOSFET,60V,22A,8.2mΩ
  • 品牌:
    onsemi
  • 描述:
    N沟道场效应管
  • 封装:
    PQFN-8
  • MPQ: 3000
  • 规格书: 规格书
  • 详细参数: 收起
  • 库存数量: 0 pcs
  • 库存类型: 云仓
  • 交期: 3-5天 pcs
  • 价格:
    • 1+ 29.72
    • 10+ 26.08
    • 30+ 23.91
    • 100+ 21.72
    • 500+ 20.72
    • 1000+ 20.26

采购计划

数量

递增量 1 最小订货 1

详细参数

  • 安装类型 表面贴装型
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8.2 毫欧 @ 13.5A,10V
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 基本产品编号 FDMS86520
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
  • 产品状态 在售
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13.5A(Ta),22A(Tc)
  • FET 类型 N 通道
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4615 pF @ 30 V
  • Vgs(最大值) ±20V
  • 封装/外壳 8-PowerTDFN
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 系列 PowerTrench®
  • 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
  • 供应商器件封装 8-PQFN(5x6)