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CSD17522Q5A

  • 制造商料号: CSD17522Q5A
  • 品牌:
    TI
  • 描述:
    N 沟道 功率 MOSFET
  • 封装:
    VSONP-8
  • MPQ: 2500
  • 规格书: 规格书
  • 详细参数: 收起
  • 库存数量: 11090 pcs
  • 库存类型: 现货
  • 交期: 3-5天 pcs
  • 价格:
    • 1+ 10.22
    • 10+ 9.1242
    • 100+ 7.1137
    • 500+ 5.8765
    • 1000+ 4.6394
    • 2500+ 4.3301
    • 5000+ 4.1136
    • 12500+ 3.9589

采购计划

数量

递增量 1 最小订货 1

数量

1

单价

金额

人民币含税金额

详细参数

  • 制造商 Texas Instruments
  • 产品种类 MOSFET
  • RoHS
  • 安装方式 SMD/SMT
  • 封装 VSONP-8
  • 晶体管极性 N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压 30V
  • Id-连续漏极电流 100A
  • Idm-最大瞬间漏极电流 104A
  • RdsOn-漏源导通电阻 12.4mOhms
  • Pd-功率耗散 3W
  • Vgs-栅极-源极电压 ±20V
  • Vgsth-栅源极阈值电压 1.6V
  • Qg-栅极电荷 3.6nC
  • 工作温度范围-结 -55°C to 150°C
  • 包装 Reel
  • 包装数量 2500
  • 单位重量 84.100mg