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- 制造商料号: CSD17522Q5A
- 品牌:
TI
- 描述:
N 沟道 功率 MOSFET
- 封装:
VSONP-8
- MPQ: 2500
- 规格书:
规格书
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
11090 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 3-5天 pcs
- 价格:
- 1+
¥
10.22
- 10+
¥
9.1242
- 100+
¥
7.1137
- 500+
¥
5.8765
- 1000+
¥
4.6394
- 2500+
¥
4.3301
- 5000+
¥
4.1136
- 12500+
¥
3.9589
详细参数
- 制造商 Texas Instruments
- 产品种类 MOSFET
- RoHS 是
- 安装方式 SMD/SMT
- 封装 VSONP-8
- 晶体管极性 N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压 30V
- Id-连续漏极电流 100A
- Idm-最大瞬间漏极电流 104A
- RdsOn-漏源导通电阻 12.4mOhms
- Pd-功率耗散 3W
- Vgs-栅极-源极电压 ±20V
- Vgsth-栅源极阈值电压 1.6V
- Qg-栅极电荷 3.6nC
- 工作温度范围-结 -55°C to 150°C
- 包装 Reel
- 包装数量 2500
- 单位重量 84.100mg