阶梯价 | 含税价 |
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1+ | ¥13.91 |
1001+ | ¥13.65 |
制造商 | TI |
产品类别 | N通道MOSFET |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) | 4.5V、10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.9 毫欧 @ 25A、10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2630 pF @ 15 V |
功率耗散(最大值) | 3.2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | SMD/SMT |
封装 | VSONP-8 |
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