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- 制造商料号: CSD17501Q5A
- 品牌:
TI
- 描述:
N通道MOSFET
- 封装:
VSONP-8
- MPQ: 2500
- 规格书:
规格书
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
2500 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 5-7天 pcs
- 价格:
- 1+
¥
19.57
- 10+
¥
17.11
- 30+
¥
15.58
详细参数
- 制造商 TI
- 产品类别 N通道MOSFET
- 系列 NexFET™
- 包装 卷带
- FET 类型 N 通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) 30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On、最小 Rds On) 4.5V、10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.9 毫欧 @ 25A、10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 250µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值) ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2630 pF @ 15 V
- 功率耗散(最大值) 3.2W(Ta)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 VSONP-8