详细参数

• 制造商 TI
• 产品种类 N沟道功率MOSFET
• RoHS 符合
• 安装方式 SMD/SMT
• Vds 30V
• Vgs ±20V
• Rds(on) 4.3mOhms @Vgs=10V
• Id 60A
• 工作结温度范围 -55°C to 150°C
• 封装 SON5x6
• 安装类型 表面贴装型
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 18A，10V
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 基本产品编号 CSD17577
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
• 产品状态 在售
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A（Ta）
• FET 类型 N 通道
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2310 pF @ 15 V
• Vgs（最大值） ±20V
• 封装/外壳 8-PowerTDFN
• 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
• 系列 NexFET™
• 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35 nC @ 10 V
• 供应商器件封装 8-VSONP（5x6）
• 漏源电压（Vdss） 30 V
• FET 功能 -
• 功率耗散（最大值） 3W（Ta），53W（Tc）
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.8V @ 250µA